一、钛基仿金材料及其最新进展（论文文献综述）
路通[1]（2010）在《原位化学气相沉积制备铝化物涂层及其性能研究》文中进行了进一步梳理镍基高温合金因其优良的高温强度、疲劳性能和断裂韧性等诸多优点被广泛应用航天航空领域。但随着发动机工作温度的提高,镍基高温合金的抗高温氧化性能需进一步得到提高。在合金表面制备涂层是一种常用的改善其抗高温氧化性能的方法。而在制备涂层的方法中,包埋渗法因其操作简单、可多元共渗等诸多优点而广受应用。尽管如此,传统包埋渗法大都在较高温度下进行并持续很长时间,这会严重损坏合金的机械性能。基于此点,低温包埋渗的研究尤为重要。包埋渗法本质是上是一种原位化学气相沉积法。本文研究了于镍基合金表面低温包埋渗的可行性,并详细研究了实验因素对涂层结构、组成和厚度的影响。结果显示,涂层为均匀、致密的双层结构,涂层外层主要由Al3Ni2, Al3Ni和少量的Al86Cr14相组成,内层主要由Al3Ni2相组成。渗剂组分（除催化剂含量外）、实验温度和沉积时间等实验因素均不影响涂层的结构和相组成,但对涂层的厚度影响很大。涂层厚度与沉积时间大致呈抛物线关系,说明涂层形成为扩散控制。在反应时间一定的条件下,涂层厚度与反应温度的倒数之间存在线性关系。低温包埋渗铝化物涂层的抗高温氧化性能也得到了研究,结果显示涂层具有优异的抗高温氧化性能。属于完全抗氧化级别。氧化初期,涂层表面θ-Al2O3的生长占主导地位,致使氧化增重较快。但随着氧化进行,亚稳态θ-Al2O3向稳态α-Al2O3转变。氧化速率下降,氧化增重曲线趋于平缓。本文利用传统包埋渗法于镍基合金块状材料表面进行了Al-Si共渗,并对制得涂层的结构和组成进行了分析。结果显示,Al-Si共渗涂层为双层结构,外层由Ni2Si相组成,内层由Ni2Si相和Ni0.9Al1.1相组成。在基体与涂层间有一层过渡层,过渡层由Ni2Si相和Ni-Cr-Si三元相组成。采用相同实验方案,利用自行设计的设备和原位化学气相沉积法,本文成功于镍基合金空心圆柱形工件内腔表面进行了Al-Si共渗。制得的涂层的结构和组成与块状材料表面Al-Si涂层相同,但过渡层厚度大幅减小。
蔡一湘,李达人[2]（2010）在《粉末冶金钛合金的应用现状》文中指出简要介绍了粉末冶金钛合金的特性,从应用的角度总结了粉末冶金钛合金的材料体系,主要技术和产品的发展现状和趋势,回顾了粉末冶金钛合金在航空、航天、航海、汽车工业、医疗及生物、储氢合金等方面的应用。最后针对国内粉末冶金钛合金的市场发展和需求,讨论分析了国内粉末冶金钛合金材料的发展重点和方向。
刘雅泉[3]（2008）在《TiNx缓冲层的制备及对一维SiC纳米材料场发射的影响》文中认为TiN因具有高强度、高硬度、高熔点、高化学稳定性、耐磨损、良好的导热性等一系列优点以及在增强材料的光致发光、改变半导体的带宽等方面的应用而成为目前广泛研究的材料之一。一维SiC纳米材料因其具有良好的热稳定性和化学稳定性、高的热导率、高的临界击穿场强、较低的功函数和优异的力学性质,成为场发射阴极材料的首选材料之一,是国内外研究热点。本文以TiNX薄膜为缓冲层,通过制备条件的改变,研究其对一维SiC纳米材料场发射性能的影响。在论文工作中,进行了以下几个方面的研究:（1）研究了不同工艺参数对TiNX薄膜的微结构及性能的影响。结果发现:随着溅射功率的不断增大,TiNX薄膜的晶粒尺寸先下降后增加,厚度先增厚后减薄,薄膜中N/Ti原子比和电阻率不断下降,而高于一定溅射功率,电阻率趋于某一定值;随着溅射压强的不断增加,薄膜厚度越来越小,取向由（111）晶面转变为（200）晶面生长,N/Ti原子比逐渐升高,电阻率随之升高;随着衬底温度的升高,薄膜的取向由（200）晶面转向（111）晶面,柱晶的直径先增大后减小,N/Ti原子比呈升高趋势,而电阻率呈下降趋势。总之,衬底温度对成分和电阻率的影响是相反的,而溅射功率和溅射压强对这两方面的影响是一致的。（2）研究了制备条件对一维SiC纳米材料生长的影响。结果发现:Ni催化剂颗粒大小决定CNTs的直径,纳米管的定向生长是衬底表面的电场诱导所致,其中自偏压对CNTs的生长起着至关重要的作用。相同制备条件下,不同微结构的TiNX薄膜表面生长的CNTs直径均大约为70nm,长度为1μm,表面形貌基本一致。溅射Si及高温退火后得到了具有一定阵列性的一维SiC纳米材料,随后的XPS分析表明,材料中存在较强Si-C键合,XRD物相分析表明,得到的是SiC,说明用模板法可以制备得到一维SiC纳米材料。通过SEM观察发现,在SiO2缓冲层上生长的一维SiC纳米材料较TiNX缓冲层上生长的疏松,但阵列性更好。（3）研究了TiNX缓冲层对一维SiC纳米材料场发射性能的影响。结果发现: TiNX缓冲层制备条件的不同对一维SiC纳米材料场发射性能有显着的影响,衬底温度越低,获得的TiNX薄膜中N/Ti原子比越低,其上生长的一维SiC纳米材料的场发射性能越强。衬底温度为100℃时,发射性能最强,开启场强为9.0V/μm,在12.3V/μm时发射电流密度达到10mA/cm2。而SiO2上的生长的一维SiC纳米材料开启电场达到17.8 V/μm,在21.6 V/μm时发射电流密度达到10mA/cm2。与SiO2缓冲层相比,TiNX缓冲层的引入有助于提高一维SiC纳米材料场发射的性能。这些结果为今后SiC场发射器件的开发提供有意义的借鉴。
李献杰[4]（2008）在《不锈钢表面阴极弧制备TiN薄膜及抗磨/耐锡腐蚀性能研究》文中提出由于无铅钎料广泛用于波峰焊,导致了许多波峰焊元件严重的沾锡及锡腐蚀现象。使用商不得不面临的维修频率高和波峰焊元件的寿命缩短等问题。本文通过磁过滤阴极弧沉积TiN薄膜,描述与无铅钎料接触作用并与不锈钢和钛进行比较,讨论了解决该问题的方法。本文采用磁过滤真空阴极弧（FCVAD）的方法,在304不锈钢表面沉积TiN薄膜,并通过扫描电子显微镜（SEM）、金相显微镜、显微硬度、摩擦磨损、X射线衍射（XRD）、划痕试验和电化学腐蚀等检测手段对薄膜的组织结构和性能进行了分析。考察了气体压强及分压比和基体偏压参数对薄膜的成分及性能的影响。测试了TiN薄膜的抗沾锡及耐锡腐蚀性能,并与钛和不锈钢进行了对比分析。结果表明,选用适当的参数,可在基体表面制备出色泽美观、表面光滑的薄膜,并使基体表面显微硬度显着提高。同时,薄膜的抗磨损性能和耐腐蚀性能均有显着改善。研究发现较高的N2分压比和-150V左右的直流偏压能沉积出性能较为优异的TiN薄膜,表面光滑致密,TiN生长方向为（111）,显微硬度达到689HV,是基体和钛硬度的3-4倍,摩擦系数由基体的0.6降低到0.2,具有较低的磨损率;而腐蚀电位由基体的-0.597V提高至-0.239V,腐蚀电流也由基体的33.66μA降低到13.75μA。而在偏压为-150V时薄膜结合力最大能达到34.80N,在锡液中经过热循环或浸泡后,均未明显影响其膜基结合力。磁过滤真空阴极弧沉积TiN膜相对于不锈钢基体具有明显增加的抗锡润湿及耐锡腐蚀性能,在265℃左右的温度,其表现了较大的润湿角,约为140°,较小的润湿力,约为0N。沾锡量比不锈钢基体具有明显改善,而且比钛还略少。在高温钎料中,TiN膜可以表现出比钛更良好的耐锡腐蚀性能。
鞠明祥[5]（2008）在《TiNx/SiO2/Ag/SiO2低辐射复合膜的研究与制备》文中认为近来随着建筑节能的需求,低辐射玻璃（Low-E玻璃）在商业住宅和居民住宅中的应用逐渐增多。银系低辐射玻璃是世界上应用最广泛的低辐射玻璃,其介质层具有多样性,如TiO2、ZnO、SrO2等,多为金属氧化物,为了避免制备过程中被氧化,需在银膜上沉积一层薄薄的金属遮蔽层,制成产品后为防止大气中氧化需立即装成中空玻璃不能再深加工。传统离线Low-E玻璃在满足采光的需求下,可以有效节省采暖和空调费用。离线可异地加工的Low-E玻璃除了具有良好的光谱选择特性外,还具有传统离线low-E所不具有的优点,如可实现深加工,在密封条件下可单片存放较长时间,可在大气中单片暴露一定时间等。二氧化硅与玻璃和银具有良好的附着力,氮化钛具有良好的机械稳定性和化学稳定性。论文采用纳米二氧化硅做介质层,用纳米氮化钛做外层保护膜,设计了一组具有良好附加属性的低辐射复合膜。本研究课题以银靶、二氧化硅靶和钛靶为靶材,氮气为反应气体,采用射频磁控溅射法在玻璃基片和硅片上沉积了TiNx薄膜和TiNx/SiO2/Ag/SiO2复合膜。运用X射线衍射仪（XRD）、X射线光电子能谱分析（XPS）、扫描隧道显微镜（STM）、四探针电阻仪、紫外可见分光光度计、蔡氏金相显微镜、椭偏仪等仪器对制备的薄膜进行了测试和分析。研究表明:氧化硅介质层各层厚度为20nm时起到增透效果;最外层氮化钛呈非晶态,在可见光范围内具有高透过率,随N/Ti原子比例的增加薄膜颜色趋向金黄色,可见光透过率成下降趋势:随着保护层氮化钛薄膜厚度增加,TiNx/SiO2/Ag/SiO2复合膜耐磨损性能增强越明显,当氮化钛薄膜厚度低于5nm时复合膜耐腐蚀性无明显提高,氮化钛厚度10nm以上时复合膜耐腐蚀性有较大提高。论文在本研究实验条件下制得的低辐射复合膜结构为:（20nm）TiNx/（20nm）SiO2/（10nm）Ag/（20nm）SiO2,可见光透射比为78%,辐射率0.11。
郁金华[6]（2008）在《纳米氮化锆涂层腐蚀因素研究》文中研究表明ZrN比TiN具有更好的耐磨性、抗腐蚀性,更优的力学性质,良好的化学和热学性能以及漂亮的金黄色和较高的硬度和熔点,已经在表面防腐、表面装饰以及各种工模具的表面强化及提高材料性能等方面得到了广泛的应用。但关于涂层制备参量的防腐蚀因素研究相对较少,此问题的解决无疑是推进这一涂层向应用领域推广的重要因素。本文利用极化曲线和腐蚀电位测量技术,研究了工作气压、氮气流量、基体偏压和沉积温度对涂层防腐性能的影响,并根据装饰镀层的要求,用正交实验法找出了防腐性能最佳的制备参数。研究得到:涂层的防腐性能因制备参量对涂层缺陷、孔隙密度和膜基附着力产生作用而受到影响,单参量因素实验发现它们的值分别为0.3 Pa、5 sccm、-100 V和300℃时,涂层防腐性能最好;正交实验中发现,制备参数分别为0.2 Pa、12 sccm、-100 V和300℃时,涂层防腐性能最佳。基于装饰镀层考虑,用单参量因素实验研究了制备参量对涂层的沉积速率和颜色的影响,发现制备参量对沉积离子的浓度、种类及晶体生长有影响,当它们的参数分别为0.3 Pa、5 sccm、-100 V和400℃时,涂层沉积速率最高;氮气流量对涂层颜色影响很大,在5 sccm～20 sccm范围内,涂层颜色分别为淡黄色、铜黄色、金黄色、橘黄色和棕红色,12 sccm时,涂层呈金黄色。
王崇娥[7]（2008）在《共轨供油系统单体泵试件表面涂层技术的研究》文中研究指明共轨供油系统单体泵是发动机中的一个关键部件,发动机工作过程中,单体泵表面处于高温、高压、易磨损状态,采用表面涂层的方法解决单体泵表面耐磨损、耐高温、防腐蚀问题,是提高发动机使用寿命的关键。本文正是根据××用户需求而进行的在共轨供油系统单体泵材料试件的表面制备α态Al2O3硬质薄膜技术的研究。Al2O3薄膜是近几年来国内外研究较为广泛的一种超硬薄膜材料,由于具有耐高温（使用温度可达800℃,甚至达到1000℃）、耐腐蚀、高硬度以及高的机械强度等性质,因而使得其具有广阔的应用领域和市场前景。近年来,随着机械工业的快速发展,对Al2O3膜的耐高温性能和高硬度性能提出了越来越高的要求,Al2O3膜热稳定性和高硬度成为研究的热点。本论文采用磁控溅射的方法制备了Al2O3硬质薄膜,并采用了一系列的表征手段,研究了Al2O3硬质薄膜的热稳定性和硬度。在磁控溅射方法制备Al2O3膜的过程中,不同的制备条件会使得膜的微观结构性能产生差异。本文研究得到:采用磁控溅射方法制备Al2O3膜时,选取一定的真空度、温度、蒸发的电压、电流以及氩气与氧气的比值,就可以制备得到微观结构性能相对比较好的Al2O3硬质薄膜。研究分析表明:Al2O3膜在煅烧温度为1000℃以内时,物相组成是一致的,分别为β-AlOOH （400℃）、γ- Al2O3 （4001000℃）,当煅烧温度达到1150℃时,Al2O3膜的物相组成都是α-Al2O3。在500℃～1000℃之间没有明显的热变化,在1150℃以上,纯Al2O3膜发生了相转变（γ-Al2O3向α- Al2O3的转变）。Al2O3膜是由Al-O网络构成。致使Al2O3膜在高温中有好的微观结构性能。α态Al2O3具有很高的硬度,能够满足共轨供油系统单体泵表面耐磨损、耐高温、防腐蚀问题、提高共轨供油系统单体泵的使用寿命。
王浩杰[8]（2007）在《氮化钛薄膜的磁控溅射研究》文中提出TiN薄膜具有耐磨、高硬度等特点，十分适合做刀具、轴承涂覆膜层。它不但能提高工具的耐磨性，还能延长工具寿命3～5倍。TiN薄膜呈独特的金黄色，是用于装饰材料的理想仿金膜层。在薄膜的气相沉积过程中，低温沉积是薄膜技术的前沿问题，长期以来，低温沉积一直是真空镀膜的目标之一。本文通过控制沉积时间、工作总压、氮气分压、基底温度、衬底偏压等参数，总结出各个参数控制条件下TiN薄膜微观结构、形貌、成分、生长取向的规律变化；同时总结了各工艺参数控制条件下TiN薄膜的显微硬度等性能及TiN薄膜微观结构和各种性能之间的密切联系。为制备高性能TiN薄膜提供了依据。本文为了对TiN薄膜微观结构、生长取向及性能的影响进行较为深入的联系和分析，选择了对TiN薄膜结构、形貌和性能影响最大的氮气分压、基底温度和衬底偏压这3个因素进行分析，并获得了一些相关规律。本文同时研究了薄膜表面能Shkl和应变能Uhkl对TiN薄膜生长取向的控制影响。当薄膜膜厚较小时，表面能控制TiN薄膜的生长并显示出{100}取向生长趋势；而当薄膜膜厚较大时，应变能占主导因素，使薄膜呈现出{111}择优取向。
杨凯[9]（2006）在《反应磁控溅射法制备TiN薄膜的研究》文中研究表明TiN是第一个产业化并广泛应用的硬质薄膜材料,有关它的制备研究一直十分活跃,已成为国内外硬质涂层研究的热点。由于其具有较高的硬度和耐磨性能、独特的金黄色、低电阻率以及阻挡扩散层性质,在刀具、模具、装饰材料和集成电路中都具有重要的应用价值。以往较少地在TiN薄膜微观结构和各种性能之间的联系上进行研究和探索,更缺乏对TiN薄膜生长过程进行深刻地了解和探究。因此,本论文主要集中于研究TiN薄膜溅射沉积的微观过程分析、薄膜生长过程及理论的探索、薄膜微观结构和成分与性能之间的规律性联系等方面,增强TiN薄膜性能应用研究的科学理论基础,以期为高性能TiN薄膜的制备提供依据。本文采用反应磁控溅射法制备TiN薄膜,并分别在沉积时间、工作总压、氮气分压、基底温度和衬底偏压上进行参数控制,研究各个参数控制条件下TiN薄膜微观结构、形貌、成分、生长取向的规律性变化;同时研究了各工艺参数控制条件下TiN薄膜沉积速率、显微硬度、致密性及膜基结合性能等,分析并总结TiN薄膜微观结构和各种性能之间的密切联系。在几个工艺参数中,对TiN薄膜结构、形貌和性能影响最大的是氮气分压、基底温度和衬底偏压。本文针对此三个参数对TiN薄膜微观结构、生长取向及性能的影响进行了较为深入的分析和研究,并获得了一些相关规律。同时研究了薄膜表面能Shkl和应变能Uhkl对TiN薄膜生长取向的控制影响。根据TiN薄膜具有NaCl型的面心立方晶体结构,研究表明:薄膜表面能Shkl和薄膜应变能Uhkl的大小均与薄膜生长取向有关。当薄膜膜厚较小时,表面能控制TiN薄膜的生长并显示出｛100｝取向生长趋势;而当薄膜膜厚较大时,应变能占主导因素,使薄膜呈现出｛111｝择优取向。其结果都是为了减小TiN薄膜体系的自由能。最后,本论文从微观粒子的相互作用和输运出发,分析了粒子通量形式的溅射速率,建立了TiN薄膜生长速率模型,对TiN薄膜成核长大过程进行了研究,运用薄膜的成核长大热力学及动力学理论分析TiN薄膜晶粒尺寸大小。研究表明:TiN薄膜生长速率方程只需将气态源产生步骤与扩散步骤耦合即可得到;在不同的沉积温度条件下,薄膜成核长大热力学与动力学对TiN薄膜的生长控制的主导地位不同。以上为进一步研究TiN薄膜微观沉积及生长过程、提高TiN薄膜性能等提供了理论上的参考。
徐成俊[10]（2005）在《磁控溅射TiN及ZrN薄膜的特性研究》文中研究表明氮化钛和氮化锆薄膜的结构通常由金属键和共价键混合而成,具有金属晶体和共价晶体的特点:高熔点、高硬度、优异的热和化学惰性,优良的导电性和金属反射比。这类薄膜既可作为一种耐磨及硬质薄膜而广泛用于各种切削工具、机械零部件,也可作为各种装饰薄膜应用于装饰行业,还可作为Cu 和Si 之间的扩散阻挡层。氮化钛和氮化锆薄膜通常是在高温下沉积,其目的是降低薄膜内应力,增加膜/基结合强度和优化晶粒,提高薄膜机械性能。目前对于高温制备氮化钛和氮化锆薄膜已进行了大量的研究工作,但在室温下沉积氮化钛和氮化锆薄膜却少有报道。基体的沉积温度决定了沉积薄膜的基体材料的范围,室温沉积可以扩大基体材料的范围,例如可将其沉积在有机柔性衬底上,扩大氮化钛和氮化锆薄膜的潜在用途,此外,室温沉积也为低能耗、简化薄膜的制备工艺开辟了一条途径。单一的纯净元素组成的薄膜材料的性能往往不能满足实际的需要,必须进行掺杂改性,掺杂的作用是多方面的,薄膜的颜色、力学、化学和光学性能以及结构都会随掺杂材料的种类和掺杂含量而改变。对TiN 薄膜掺适量的Zr 掺杂,除了能大幅度改善其机械性能外,而且还因Zr 原子的存在,能提高TiN 薄膜的耐腐蚀性能。本研究课题以纯钛靶及纯锆靶为靶材,采用反应磁控溅射工艺在玻璃和高速刚上沉积氮化钛和（Ti,Zr）N 薄膜,通过紫外-可见分光分度计和X 射线衍射仪及扫描隧道显微镜测试分析,讨论了工艺参数对氮化钛薄膜机械性能、光学性能和结构的影响,研究了Zr 掺杂对（Ti,Zr）N 薄膜性能与结构的影响。采用射频反应磁控溅射纯锆靶制备了透明硬质薄膜,并对其性能进行了研究。研究表明:氮化钛和（Ti,Zr）N 薄膜为多晶态,氮流量决定了氮化钛薄膜的结构和性能,增加氮流量能使氮化钛薄膜的结构向面心立方结构转变,从而得到性能良好的氮化钛薄膜;施加负偏压能优化氮化钛晶粒和减少薄膜中的缺陷,使膜层变得更致密,从而提高薄膜硬度;氮化钛主要遵循自由载流子光吸收,氮含量较少时薄膜中的自由电子数目较多,随着氮含量的增加,薄膜中的自由电子数目不断减少,反射率逐渐降低,等离子体频率向低能端移动,从而使薄膜颜色出现规律变化, 由金属色银白色到淡黄、金黄再到红黄,并且薄膜亮度呈下降趋势;金黄色的（Ti,Zr）N 薄膜中存在TiN 和ZrN 的分离相,但其为单一的面心立方结构并具有（111）面择优取向;相对于TiN 薄膜,Zr 掺杂后,并没有使薄膜的导带、价带和禁带发生变化,只是在TiN 禁带内增加了新能级,这也正是掺杂Zr 后,薄膜仍
二、钛基仿金材料及其最新进展（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、钛基仿金材料及其最新进展（论文提纲范文）
（1）原位化学气相沉积制备铝化物涂层及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 高温合金的发展状况 |
| 1.2.1 高温合金的性能及应用 |
| 1.2.2 国外高温合金发展简介 |
| 1.2.3 我国高温合金发展历程 |
| 1.3 镍基合金的性能及应用 |
| 1.3.1 合金元素对镍基合金的作用及其性能的影响 |
| 1.3.2 微量元素对镍基合金性能的影响 |
| 1.4 高温合金的防护涂层 |
| 1.4.1 防护涂层的诞生及分类 |
| 1.4.2 防护涂层的发展历程 |
| 1.4.3 防护涂层的制备方法 |
| 1.5 铝硅涂层概述 |
| 1.5.1 铝硅涂层的发展状况 |
| 1.5.2 常见渗铝方法 |
| 1.5.3 铝硅涂层中硅的作用 |
| 1.6 包埋渗法制备抗氧化涂层 |
| 1.6.1 包埋渗层形成的过程 |
| 1.6.2 包埋渗层形成的条件 |
| 1.6.3 包埋渗法的优缺点 |
| 1.6.4 低温包埋渗概述 |
| 1.6.5 包埋渗法制备硅化物涂层 |
| 1.7 内腔渗概述 |
| 1.8 本课题主要内容及研究意义 |
| 第二章 实验内容与方法 |
| 2.1 低温包埋渗制备铝化物涂层 |
| 2.1.1 基体材料 |
| 2.1.2 涂层制备 |
| 2.1.3 高温氧化实验 |
| 2.2 铝硅涂层的制备 |
| 2.2.1 实验装置设计 |
| 2.2.2 实验材料 |
| 2.2.3 涂层的制备 |
| 2.3 实验结果分析方法 |
| 2.3.1 X 射线衍射分析 |
| 2.3.2 扫描电子显微分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 镍基合金表面低温包埋渗制备铝化物涂层 |
| 3.1 涂层结构及成分分析 |
| 3.2 实验因素对涂层结构和组成的影响 |
| 3.2.1 实验因素对涂层结构的影响 |
| 3.2.2 实验因素对涂层相组成的影响 |
| 3.3 实验因素对涂层厚度的影响 |
| 3.3.1 Al 含量对涂层厚度的影响 |
| 3.3.2 NH4Cl 含量对涂层厚度的影响 |
| 3.3.3 反应时间对涂层厚度的影响 |
| 3.3.4 沉积温度对涂层厚度的影响 |
| 3.4 涂层抗高温氧化性能测试 |
| 3.4.1 宏观形貌 |
| 3.4.2 氧化动力学 |
| 3.4.3 表面微观形貌及成分组成 |
| 3.4.4 截面微观形貌及成分组成 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 铝硅共渗 |
| 4.1 镍基合金表面铝硅共渗 |
| 4.1.1 涂层表面形貌 |
| 4.1.2 涂层结构与组分 |
| 4.1.3 涂层相组成 |
| 4.2 工件内腔铝硅共渗 |
| 4.2.1 涂层结构 |
| 4.2.2 涂层组成 |
| 4.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
（2）粉末冶金钛合金的应用现状（论文提纲范文）
| 1 前 言 |
| 2 粉末冶金钛合金的航空、航天、航海应用 |
| 2.1 传统Ti合金 |
| 2.2 TixAl金属间化合物结构材料 |
| 2.3 TiAl基金属间化合物多孔材料 |
| 3 粉末冶金钛合金在汽车工业中的应用 |
| 4 粉末冶金钛合金在生物医疗领域中的应用 |
| 4.1 Ti合金-HA复合材料 |
| 4.2 多孔Ti合金生物材料 |
| 4.3 牙科用钛合金材料 |
| 5 粉末冶金钛合金的储氢应用 |
| 6 粉末冶金钛合金的其他应用 |
| 7 结语和展望 |
（3）TiNx缓冲层的制备及对一维SiC纳米材料场发射的影响（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 TiN 概述 |
| 1.1.1 TiN 材料的结构和性质 |
| 1.1.2 TiN 薄膜材料的制备 |
| 1.1.3 TiN 薄膜研究现状及应用 |
| 1.2 TiN 缓冲层的发展及应用 |
| 1.2.1 缓冲层概述 |
| 1.2.2 TiN 缓冲层的研究现状 |
| 1.3 一维SiC 纳米材料概述 |
| 1.3.1 一维SiC 纳米材料的性质 |
| 1.3.2 一维SiC 纳米材料的制备 |
| 1.3.3 一维SiC 纳米材料场发射性质研究现状 |
| 1.4 本文主要的实验内容及研究路线 |
| 第二章 TiN_X薄膜的制备与表征 |
| 2.1 反应磁控溅射制备TiN_X薄膜 |
| 2.1.1 反应磁控溅射原理 |
| 2.1.2 反应溅射设备 |
| 2.1.3 TiN_X薄膜的制备 |
| 2.2 TiN_X薄膜物相组成、表面和横截面形貌、性质表征 |
| 2.2.1 物相组成表征 |
| 2.2.2 TiN_X薄膜的表面、横截面形貌表征及成分测定 |
| 2.2.3 TiN_X薄膜电阻率测定 |
| 2.3 实验结果及讨论 |
| 2.3.1 溅射功率对TiN_X薄膜微结构和性能的影响 |
| 2.3.2 溅射压强对TiN_X薄膜微结构和性能的影响 |
| 2.3.3 衬底温度对TiN_X薄膜微结构和性能的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 一维SiC 纳米材料的制备与表征 |
| 3.1 碳纳米管的制备 |
| 3.1.1 制备方法 |
| 3.1.2 CVD 生长CNTs 的生长机制 |
| 3.1.3 实验设备 |
| 3.1.4 制备过程 |
| 3.2 不同制备条件对CNTS 生长的影响 |
| 3.2.1 催化剂对CNTs 生长的影响 |
| 3.2.2 电场方向对CNTs 生长的影响 |
| 3.2.3 自偏压对CNTs 生长的影响 |
| 3.3 TiN_X缓冲层上生长CNTS 的表征 |
| 3.4 一维SiC 纳米材料的制备 |
| 3.4.1 溅射Si |
| 3.4.2 高温退火 |
| 3.5 一维SiC 纳米材料的表征 |
| 3.5.1 一维SiC 纳米材料的SEM 表征 |
| 3.5.2 一维SiC 纳米材料的XPS 分析 |
| 3.5.3 一维SiC 纳米材料的XRD 分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 TiN_X缓冲层对一维SiC 纳米材料场发射的影响 |
| 4.1 场发射的原理 |
| 4.2 场致电子发射测试设备 |
| 4.3 一维SiC 纳米材料场发射性能比较与分析 |
| 4.3.1 不同TiN_X缓冲层对一维SiC 纳米材料场发射性能的影响 |
| 4.3.2 不同缓冲层对一维SiC 纳米材料场发射性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（4）不锈钢表面阴极弧制备TiN薄膜及抗磨/耐锡腐蚀性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 波峰焊介绍 |
| 1.2.1 波峰焊原理 |
| 1.2.2 不锈钢材料钎料腐蚀情况 |
| 1.2.3 钛沾锡及被锡腐蚀情况 |
| 1.3 表面工程技术和TiN薄膜制备技术现状 |
| 1.3.1 表面工程强化技术简介 |
| 1.3.2 磁过滤阴极弧沉积的特点 |
| 1.3.3 磁过滤阴极弧的应用 |
| 1.4 氮化钛薄膜材料简介 |
| 1.4.1 氮化钛材料特性 |
| 1.4.2 氮化钛材料的应用 |
| 1.4.3 氮化钛薄膜的主要制备方法 |
| 1.5 本课题研究的内容 |
| 第2章 实验设备、方法及分析检测手段 |
| 2.1 实验设备 |
| 2.2 实验材料与试样的制备 |
| 2.3 实验方法与工艺研究 |
| 2.3.1 气体离子源清洗 |
| 2.3.2 磁过滤阴极弧沉积TiN薄膜工艺 |
| 2.4 分析检测方法 |
| 2.4.1 膜层表面形貌观测 |
| 2.4.2 SEM扫描电镜观察 |
| 2.4.3 XRD(X-Ray Diffraction)分析 |
| 2.4.4 膜基结合力测试 |
| 2.4.5 硬度测试 |
| 2.4.6 摩擦磨损性能测试 |
| 2.4.7 电化学腐蚀测试 |
| 2.4.8 润湿角测试 |
| 2.4.9 润湿力测试 |
| 2.4.10 表面能测试 |
| 2.4.11 抗沾锡性能测试 |
| 2.4.12 抗锡腐蚀性能测试 |
| 第3章 FCVAD制备TiN薄膜性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 膜层表面形貌观测 |
| 3.3 X-Ray Diffraction (XRD)分析 |
| 3.4 膜基结合力测试 |
| 3.5 硬度测试 |
| 3.6 摩擦磨损性能测试 |
| 3.7 腐蚀测试 |
| 3.8 本章小结 |
| 第4章 TiN薄膜的抗锡润湿和耐锡腐蚀性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 润湿性能测试 |
| 4.3 沾锡性能测试 |
| 4.4 薄膜抗锡腐蚀性能测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（5）TiNx/SiO2/Ag/SiO2低辐射复合膜的研究与制备（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 低辐射镀膜玻璃 |
| 1.2.1 低辐射镀膜玻璃的节能原理 |
| 1.2.2 低辐射镀膜玻璃的功能特点 |
| 1.2.3 低辐射玻璃的节能性能表征 |
| 1.2.4 低辐射玻璃的国内外研究现状及存在的问题 |
| 1.2.5 低辐射玻璃的应用 |
| 1.2.6 低辐射镀膜玻璃制备技术 |
| 1.3 氮化钛薄膜 |
| 1.3.1 氮化钛薄膜的特性 |
| 1.3.2 氮化钛薄膜的国内外研究现状 |
| 1.3.3 常用的氮化钛薄膜制备工艺 |
| 1.3.4 氮化钛薄膜的应用 |
| 1.4 课题研究的目的及意义 |
| 1.5 课题创新之处 |
| 2 溅射镀膜原理 |
| 2.1 溅射机理及特点 |
| 2.2 基本溅射类型 |
| 2.2.1 直流溅射 |
| 2.2.2 射频溅射 |
| 2.2.3 反应溅射 |
| 2.2.4 磁控溅射 |
| 3 实验 |
| 3.1 实验设备和材料 |
| 3.2 基片前处理 |
| 3.3 薄膜的制备 |
| 3.4 实验方案的确定 |
| 3.4.1 制备氮化钛薄膜的实验方案 |
| 3.4.2 制备低辐射薄膜的实验方案 |
| 3.5 薄膜的性能测试 |
| 4 氮化钛薄膜的制备及性能研究 |
| 4.1 工艺参数对氮化钛薄膜光学性能的影响 |
| 4.1.1 氮分量对氮化钛薄膜光学性能的影响 |
| 4.1.2 功率对氮化钛薄膜光学性能的影响 |
| 4.1.3 溅射时间对氮化钛薄膜光学性能的影响 |
| 4.2 氮化钛薄膜的厚度分析 |
| 4.3 氮化钛薄膜的组成和结构分析 |
| 4.3.1 氮化钛薄膜的结构分析(XRD) |
| 4.3.2 氮化钛的表面形貌分析(STM) |
| 4.3.3 氮化钛薄膜光电子能谱分析(XPS) |
| 4.4 小结 |
| 5 TIN_X/SIO_2/AG/SIO_2低辐射膜的制备及其性能研究 |
| 5.1 银膜的制备和性能研究 |
| 5.1.1 工艺参数对银膜电学性能的影响 |
| 5.1.2 银膜的光学性能 |
| 5.2 SiO_2对复合膜性能的影响 |
| 5.3 TiN_x对SiO_2/Ag/SiO_2复合膜性能的影响 |
| 5.3.1 TiN_x对SiO_2/Ag/SiO_2复合膜光学性能的影响 |
| 5.3.2 TiN_x对SiO_2/Ag/SiO_2复合膜附着力和化学性能的影响 |
| 5.3.3 TiN_x对SiO_2/Ag/SiO_2低辐射薄膜辐射率和遮阳系数的计算 |
| 6 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（6）纳米氮化锆涂层腐蚀因素研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 Zr-N涂层发展及研究现状 |
| 1.2 选题意义 |
| 1.3 研究目的与内容 |
| 第二章 概述 |
| 2.1 电化学基础 |
| 2.1.1 极化 |
| 2.1.2 极化原因 |
| 2.1.3 极化曲线 |
| 2.1.4 电化学腐蚀过程 |
| 2.1.5 电化学性能分析 |
| 2.2 腐蚀研究的电化学方法 |
| 2.2.1 电化学测量原理 |
| 2.2.2 电化学计算方法 |
| 2.3 Zr-N涂层系列的研究及应用 |
| 2.3.1 Zr-N多涂层系列的研究现状 |
| 2.3.2 Zr-N多元复合涂层研究现状 |
| 2.3.3 Zr-N系列涂层的应用 |
| 2.3.4 展望 |
| 第三章 仪器及原理 |
| 3.1 溅射 |
| 3.1.1 溅射镀膜原理 |
| 3.1.2 溅射过程 |
| 3.2 磁控溅射 |
| 3.2.1 磁控溅射沉积镀膜机理 |
| 3.2.2 磁控溅射的特点 |
| 3.2.3 磁控溅射技术进展 |
| 第四章 实验工艺及实验方案 |
| 4.1 研究方案 |
| 4.2 研究所涉及和拟解决的关键问题 |
| 4.3 Zr-N涂层的制备流程 |
| 4.3.1 镀前处理 |
| 4.3.2 镀膜工艺流程 |
| 4.3.3 涂层样品制备参数 |
| 4.4 样品检测 |
| 4.4.1 厚度测量 |
| 4.4.2 电化学测量 |
| 第五章 制备参量的防腐性能研究 |
| 5.1 工作气压的防腐性能研究 |
| 5.1.1 极化曲线测量 |
| 5.1.2 腐蚀电位测量 |
| 5.1.3 结果分析 |
| 5.2 氮气流量的防腐性能研究 |
| 5.2.1 极化曲线测量 |
| 5.2.2 腐蚀电位测量 |
| 5.2.3 结果分析 |
| 5.3 基体偏压的防腐性能研究 |
| 5.3.1 极化曲线测量 |
| 5.3.2 腐蚀电位测量 |
| 5.3.3 结果分析 |
| 5.4 沉积温度的防腐性能影响 |
| 5.4.1 极化曲线测量 |
| 5.4.2 腐蚀电位测量 |
| 5.4.3 结果分析 |
| 5.5 制备参数的优化 |
| 5.5.1 极化曲线测量 |
| 5.5.2 腐蚀电位测量 |
| 5.5.3 结果分析 |
| 第六章 颜色及沉积速率的制备参量研究 |
| 6.1 沉积速率的制备参数研究 |
| 6.1.1 工作气压的影响 |
| 6.1.2 氮气流量的影响 |
| 6.1.3 基体偏压的影响 |
| 6.1.4 沉积温度的影响 |
| 6.2 涂层颜色的制备参数研究 |
| 6.2.1 溅射气压的影响 |
| 6.2.2 氮气流量的影响 |
| 6.2.3 基体偏压的影响 |
| 6.2.4 沉积温度的影响 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（7）共轨供油系统单体泵试件表面涂层技术的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 超硬涂层技术国内外研究现状 |
| 1.2 三氧化二铝硬质涂层的特点和在机械领域的应用 |
| 1.3 目前存在的问题 |
| 1.4 本课题主要研究内容、目的和意义 |
| 本章小结 |
| 第二章 单体泵表面（38CrMoAl）磁控溅射镀膜实验的研究 |
| 2.1 溅射镀膜原理 |
| 2.2 溅射机理及特点 |
| 2.3 基本溅射类型 |
| 2.4 实验设备及材料 |
| 2.5 基片前处理 |
| 2.6 薄膜的制备 |
| 本章小结 |
| 第三章 工艺参数对三氧化二铝硬质薄膜制备的影响 |
| 3.1 工艺参数对三氧化二铝硬质薄膜硬度的影响 |
| 3.2 三氧化二铝硬质薄膜工艺参数之间的关 |
| 本章小结 |
| 第四章 三氧化二铝硬质薄膜性能测试结果的分析 |
| 4.1 三氧化二铝薄膜的性能和结构研究 |
| 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（8）氮化钛薄膜的磁控溅射研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 硬质薄膜材料的发展与制备 |
| 1.2.1 硬质薄膜材料的发展 |
| 1.2.2 硬质薄膜材料的制备 |
| 1.3 氮化钛薄膜的性质与结构 |
| 1.3.1 氮化钛薄膜的性质与结构 |
| 1.3.2 制备方法对氮化钛薄膜结构和性能的影响 |
| 1.3.3 工艺参数对氮化钛薄膜性能的影响 |
| 1.3.4 氮化钛薄膜的应用 |
| 1.3.5 氮化钛薄膜的合金化 |
| 1.4 磁控溅射技术的发展及原理 |
| 1.5 本课题的研究意义和内容 |
| 1.5.1 本课题的研究意义 |
| 1.5.2 本课题的研究内容 |
| 第二章 试验原理与步骤 |
| 2.1 试验研究的步骤 |
| 2.2 试验仪器 |
| 2.3 试验原料 |
| 2.4 氮化钛薄膜沉积原理 |
| 2.4.1 气体辉光放电 |
| 2.4.2 薄膜沉积原理及工艺 |
| 2.5 薄膜微观表征及使用仪器 |
| 2.6 薄膜性能研究 |
| 2.6.1 显微硬度 |
| 2.6.2 膜厚测量 |
| 2.6.3 堆积因子测量 |
| 第三章 氮化钛薄膜表面形貌和微观组织的分析与研究 |
| 3.1 基准沉积工艺参数 |
| 3.1.1 基准工艺参数沉积氮化钛薄膜的基片选择及XRD分析 |
| 3.1.2 基准工艺参数沉积氮化钛薄膜的能谱分析 |
| 3.2 沉积时间对所制备氮化钛薄膜的影响 |
| 3.2.1 氮化钛薄膜XRD分析 |
| 3.2.2 氮化钛薄膜SEM分析 |
| 3.2.3 氮化钛薄膜能谱分析 |
| 3.3 工作总压对所制备氮化钛薄膜的影响 |
| 3.3.1 氮化钛薄膜XRD分析 |
| 3.3.2 氮化钛薄膜SEM分析 |
| 3.4 氮气分压对所制备氮化钛薄膜的影响 |
| 3.4.1 氮化钛薄膜XRD分析 |
| 3.4.2 氮化钛薄膜SEM分析 |
| 3.4.3 氮化钛薄膜能谱分析 |
| 3.5 基底温度对所制备氮化钛薄膜的影响 |
| 3.5.1 氮化钛薄膜XRD分析 |
| 3.5.2 氮化钛薄膜SEM分析 |
| 3.5.3 氮化钛薄膜能谱分析 |
| 3.6 衬底偏压对所制备氮化钛薄膜的影响 |
| 3.6.1 氮化钛薄膜XRD分析 |
| 3.6.2 氮化钛薄膜SEM分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 氮化钛薄膜的显微硬度和堆积因子 |
| 4.1 工艺参数对显微硬度的影响 |
| 4.1.1 工作总压对氮化钛薄膜硬度的影响 |
| 4.1.2 基底温度对氮化钛薄膜硬度的影响 |
| 4.1.3 衬底偏压对氮化钛薄膜硬度的影响 |
| 4.2 工艺参数对堆积因子的影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 氮化钛薄膜抗双氧水及抗高温剥落的研究 |
| 5.1 试验样品及方法 |
| 5.2 试验结果 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（9）反应磁控溅射法制备TiN薄膜的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 硬质薄膜材料简介 |
| 1.2.1 硬质薄膜材料的发展 |
| 1.2.2 硬质薄膜材料的制备 |
| 1.3 TiN 薄膜应用与研究进展 |
| 1.3.1 TiN 薄膜结构与性质 |
| 1.3.2 制备方法对TiN 薄膜结构和性能的影响 |
| 1.3.3 工艺参数对TiN 薄膜结构和性能的影响 |
| 1.3.4 TiN 薄膜的应用 |
| 1.3.5 TiN 薄膜的合金化 |
| 1.4 磁控溅射技术介绍 |
| 1.5 本课题的研究意义和内容 |
| 1.5.1 本课题的研究意义 |
| 1.5.2 本课题的研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 试验原理与方法 |
| 2.1 试验研究路线 |
| 2.2 试验设备 |
| 2.3 试验材料 |
| 2.4 TiN 薄膜制备 |
| 2.4.1 辉光放电及等离子体的产生 |
| 2.4.2 薄膜沉积工艺 |
| 2.4.3 薄膜沉积原理 |
| 2.5 薄膜微观分析 |
| 2.6 薄膜性能研究 |
| 2.6.1 显微硬度测试 |
| 2.6.2 膜厚测量 |
| 2.6.3 堆积因子（Packing Factor）测量 |
| 2.6.4 膜基结合力表征 |
| 2.7 理论分析与讨论 |
| 参考文献 |
| 第三章 氮化钛薄膜微观结构和形貌控制研究 |
| 3.1 基准沉积工艺参数的确定 |
| 3.1.1 基准工艺参数沉积薄膜XRD 分析 |
| 3.1.2 基准工艺参数沉积薄膜能谱分析 |
| 3.2 沉积时间对所制备TiN 薄膜的影响 |
| 3.2.1 TiN 薄膜XRD 分析 |
| 3.2.2 TiN 薄膜SEM 分析 |
| 3.2.3 TiN 薄膜能谱分析 |
| 3.3 工作总压对所制备TiN 薄膜的影响 |
| 3.3.1 TiN 薄膜XRD 分析 |
| 3.3.2 TiN 薄膜SEM 分析 |
| 3.4 氮气分压对所制备TiN 薄膜的影响 |
| 3.4.1 TiN 薄膜XRD 分析 |
| 3.4.2 TiN 薄膜SEM 分析 |
| 3.4.3 TiN 薄膜TEM 分析 |
| 3.4.4 TiN 薄膜能谱分析 |
| 3.5 基底温度对所制备TiN 薄膜的影响 |
| 3.5.1 TiN 薄膜XRD 分析 |
| 3.5.2 TiN 薄膜SEM 分析 |
| 3.5.3 TiN 薄膜能谱分析 |
| 3.6 衬底偏压对所制备TiN 薄膜的影响 |
| 3.6.1 TiN 薄膜XRD 分析 |
| 3.6.2 TiN 薄膜SEM 分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 氮化钛薄膜性能控制研究 |
| 4.1 显微硬度控制研究 |
| 4.1.1 工作气压对TiN 薄膜硬度的影响 |
| 4.1.2 基底温度对TiN 薄膜硬度的影响 |
| 4.1.3 衬底偏压对TiN 薄膜硬度的影响 |
| 4.2 膜基结合力控制研究 |
| 4.2.1 氮气分压对TiN 薄膜膜基结合力性能的影响 |
| 4.2.2 基底温度对TiN 薄膜膜基结合力性能的影响 |
| 4.2.3 衬底偏压对TiN 薄膜膜基结合力性能的影响 |
| 4.2.4 沉积时间对TiN 薄膜膜基结合力性能的影响 |
| 4.3 堆积因子控制研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 氮化钛薄膜溅射沉积微观过程及生长分析 |
| 5.1 溅射沉积TiN 薄膜微观过程分析 |
| 5.1.1 鞘层电位的形成及衬底偏压的施加 |
| 5.1.2 等离子体与阴极靶的相互作用 |
| 5.1.3 粒子溅射速率分析 |
| 5.1.4 薄膜的生长速率模型研究 |
| 5.2 TiN 薄膜成核长大分析 |
| 5.2.1 连续薄膜的形成 |
| 5.2.2 薄膜的成核长大热力学分析 |
| 5.2.3 薄膜的成核长大动力学分析 |
| 5.3 TiN 薄膜生长取向和微观形貌分析 |
| 5.3.1 TiN 薄膜生长取向分析 |
| 5.3.2 TiN 薄膜微观形貌分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表论文及研究工作 |
（10）磁控溅射TiN及ZrN薄膜的特性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 1 绪论 |
| 1.1 国内外研究现状 |
| 1.2 常用的薄膜制备工艺 |
| 1.2.1 溅射沉积 |
| 1.2.2 离子镀 |
| 1.2.3 离子束增强沉积 |
| 1.2.4 化学气相沉积 |
| 1.2.5 其它沉积方法 |
| 1.3 应用 |
| 1.3.1 在机械领域的应用 |
| 1.3.2 在仿金行业的应用 |
| 1.3.3 在建筑装饰行业的应用 |
| 1.3.3 在半导体行业的应用 |
| 1.3.4 在临床医学领域的应用 |
| 1.3.5 在传媒介质的应用 |
| 1.3.6 其它方面的应用 |
| 1.4 目前存在的问题 |
| 1.5 本课题研究的目的及意义 |
| 2 溅射镀膜原理 |
| 2.1 溅射机理及特点 |
| 2.2 基本溅射类型 |
| 2.2.1 直流溅射 |
| 2.2.2 射频溅射 |
| 2.2.3 反应溅射 |
| 2.2.4 磁控溅射 |
| 3 实验 |
| 3.1 实验设备及材料 |
| 3.2 基片前处理 |
| 3.3 薄膜的制备 |
| 3.3 薄膜的性能测试 |
| 4 氮化钛薄膜的性能和结构研究 |
| 4.1 工艺参数对氮化钛薄膜机械性能和结构的影响 |
| 4.1.1 氮分量对氮化钛薄膜机械性能和结构的影响 |
| 4.1.2 负偏压对氮化钛薄膜机械结构和性能的影响 |
| 4.1.3 功率对氮化钛薄膜性能的影响 |
| 4.1.4 其他溅射因素对氮化钛薄膜机械性能的影响 |
| 4.1.5 氮化钛薄膜表面形貌分析 |
| 4.2 氮流量对氮化钛薄膜光学性能的影响 |
| 4.2.1 氮流量对氮化钛薄膜光学性能的影响 |
| 4.2.2 氮化钛薄膜电子结构分析 |
| 5 (Ti,Zr)N 薄膜制备及性能研究 |
| 5.1 掺杂方式对(Ti,Zr)N 薄膜性能的影响 |
| 5.2 相对掺杂量对(Ti,Zr)N 薄膜性能的影响 |
| 5.3 金黄色(Ti,Zr)N 薄膜的性能和结构研究 |
| 5.3.1 金黄色(Ti,Zr)N 薄膜光学性能分析 |
| 5.3.2 X 射线衍射分析 |
| 5.3.3 金黄色(Ti,Zr)N 薄膜的表面形貌 |
| 5.3.4 金黄色(Ti,Zr)N 薄膜的能带结构 |
| 5.3.5 金黄色(Ti,Zr)N 薄膜显微硬度 |
| 5.3.6 金黄色(Ti,Zr)N 薄膜耐腐蚀性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 透明氮化锆薄膜的制备及性能研究 |
| 6.1 氮化锆薄膜的可见光透射率分析 |
| 6.2 氮化锆薄膜的表面形貌分析 |
| 6.3 氮化锆薄膜电子结构分析 |
| 6.4 氮化锆薄膜显微硬度 |
| 6.5 氮化锆薄膜耐腐蚀性能 |
| 6.6 氮化锆薄膜光电子能谱分析 |
| 6.7 本章小结 |
| 7 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 独创性声明 |
| 学位论文版权使用授权书 |
四、钛基仿金材料及其最新进展（论文参考文献）
- [1]原位化学气相沉积制备铝化物涂层及其性能研究[D]. 路通. 北京航空航天大学, 2010(11)
- [2]粉末冶金钛合金的应用现状[J]. 蔡一湘,李达人. 中国材料进展, 2010(05)
- [3]TiNx缓冲层的制备及对一维SiC纳米材料场发射的影响[D]. 刘雅泉. 天津理工大学, 2008(07)
- [4]不锈钢表面阴极弧制备TiN薄膜及抗磨/耐锡腐蚀性能研究[D]. 李献杰. 哈尔滨工业大学, 2008(S2)
- [5]TiNx/SiO2/Ag/SiO2低辐射复合膜的研究与制备[D]. 鞠明祥. 重庆大学, 2008(06)
- [6]纳米氮化锆涂层腐蚀因素研究[D]. 郁金华. 中国石油大学, 2008(06)
- [7]共轨供油系统单体泵试件表面涂层技术的研究[D]. 王崇娥. 长春理工大学, 2008(02)
- [8]氮化钛薄膜的磁控溅射研究[D]. 王浩杰. 南京理工大学, 2007(02)
- [9]反应磁控溅射法制备TiN薄膜的研究[D]. 杨凯. 东南大学, 2006(04)
- [10]磁控溅射TiN及ZrN薄膜的特性研究[D]. 徐成俊. 重庆大学, 2005(01)